array(1) {
[403338]=>
array(2) {
[2]=>
array(1) {
[0]=>
string(6) "三星"
}
[4]=>
array(1) {
[0]=>
string(19) "同花順7x24快訊"
}
}
}
同花順7x24快訊
三星電子預計將在下周宣布大規(guī)模生產(chǎn)3納米芯片，下一代3納米芯片將建立在Gate-All-Around(GAA)技術之上。三星稱，與現(xiàn)有的FinFET工藝相比，該技術將使芯片面積減少45%，同時性能提高30%，功耗降低50%。
請輸入驗證碼