中信建投認(rèn)為，碳化硅襯底的使用極限性能優(yōu)于硅襯底，可以滿足高溫、高壓、高頻、大功率等條件下的應(yīng)用需求，當(dāng)前碳化硅襯底已應(yīng)用于射頻器件及功率器件。我們把SiC器件發(fā)展分為三個(gè)發(fā)展階段：2019-2021年為初期，2022-2023年為拐點(diǎn)期，2024-2026年為爆發(fā)期。SiC隨著在新能源汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、5G基站、工業(yè)和能源等應(yīng)用領(lǐng)域展開，需求迎來爆發(fā)增長，其中，能源汽車是SIC器件應(yīng)用增長最快的市場，預(yù)計(jì)2022-2026年的市場規(guī)模從16億美元到46億美元。